
Kingston KVR16S11S8/4 4 Go 1Rx8 512 Mo x 64 bits PC3-12800 CL11 SODIMM 204 broches RAM de bureau
Réf. : KVR16S11S8/4
Prix indicatif — susceptible de changer. Demandez un devis pour un tarif confirmé.
Spécifications
- Manufacturer
- Kingston
- Model
- Kingston KVR16S11S8/4
- Manufacturer Part No
- KVR16S11S8/4
- Compatible Country
- Middle East, Africa, Iran, Dubai
- Country of Origin
- California
Produits similaires / alternatives multi-marques
Alternatives sélectionnées par IA selon les spécifications

Module RAM SODIMM DDR3 Synology 4 Go 204 broches

Kit de module de mémoire DIMM Synology 4 Go DDR3 1 600 MHz (2 x 2 Go)

Lexar (LD4AU004G-B2666GSSC) Mémoire de bureau DDR4-3200/2666 UDIMM 4 Go

Lexar (LD4AS004G-R2666G) 4 Go DDR4 2666 SODIMM

Carte graphique HP NVIDIA Quadro P1000 4 Go 1ME01AA

Lenovo V530S SFF Intel Core i3-8100 4 Go DDR4

Lenovo V530S SFF Intel Core i5-8400 4 Go DDR4

AFOX GT730 Geforce GT730 4 Go DDR3 128 bits DVI HDMI VGA LP ventilateur unique
Description produit et aperçu technique
Kingston Kingston KVR16S11S8/4 #1 : Alimentation JEDEC 1,5 V #2 : VDDQ = 1,5 V #3 : 800 MHz fCK pour 1 600 Mo/s/broche #4 : 8 banques internes indépendantes #5 : Latence CAS programmable : 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5 #6 : Latence additive programmable : 0, CL - 2, ou CL - 1 horloge #7 : pré-lecture de 8 bits #8 : longueur de rafale : 8 (entrelacement sans aucune limite, séquentiel avec l'adresse de départ « 000 » uniquement), 4 avec tCCD = 4 qui ne permet pas de lecture ou d'écriture transparente (soit à la volée en utilisant A12 ou MRS) #9 : stroboscope de données différentielles bidirectionnelles #10 : (auto)-étalonnage interne : auto-étalonnage interne via la broche ZQ (RZQ : 240 ohms + 1 %) #11 : Terminaison sur puce utilisant la broche ODT #12 : Période de rafraîchissement moyenne 7,8us à moins de TCASE 85C, 3,9us à 85C < TCASE < 95Cº #13 : Réinitialisation asynchrone #14 : PCB : Hauteur 1,180 ” (30,00 mm), composant double face Télécharger la fiche technique Kingston KVR16S11S8/4
