كينغستون KF318LS11IBK2/16 16 جيجابايت (8 جيجابايت 1 جيجا × 64 بت × 2 قطعة) DDR3L-1866 CL11 204-Pin SODIMM Kit
رقم القطعة: KF318LS11IBK2/16
سعر إرشادي — قابل للتغيير. اطلب عرض سعر للحصول على تسعير مؤكد.
المواصفات
- Manufacturer
- Kingston
- Model
- Kingston KF318LS11IBK2/16
- Manufacturer Part No
- KF318LS11IBK2/16
- Compatible Country
- Middle East, Africa, Iran, Dubai
- Country of Origin
- California
منتجات بديلة / مشابهة عبر العلامات التجارية
بدائل مطابقة بالذكاء الاصطناعي حسب المواصفات
سينولوجي 16 جيجا DDR3L 1600 ميجا هرتز SODIMM Kit - RAM1600DDR3L-8GBX2
ميكرون كروكيال CB16GS2666 16 جيجا DDR4-2666 SODIMM
ليكسر (LD4AS016G-R2666G) 16 جيجابايت DDR4 2666 SODIMM
ميكرون CB16GU4800 رام 16 جيجا DDR5 4800MT/s CL40 UDIMM ذاكرة سطح المكتب
ليكسر (LD4AS016G-R3200GSST) 16 جيجابايت DDR4 3200 SODIMM
ذاكرة رام للكمبيوتر المحمول سامسونج 16 جيجا DDR4 PC4-21300، 2666 ميجا هرتز، 260 PIN SODIMM، 1.2 فولت، CL 19
وحدة الذاكرة المعتمدة سعة 16 جيجابايت من Dell 2RX8 RDIMM
مجموعة الذاكرة الذكية HPE 16GB 1Rx4 PC4-2933Y-R
وصف المنتج والنظرة التقنية
Kingston Kingston KF318LS11IBK2/16 #1: مصدر الطاقة القياسي EDEC 1.35 فولت و1.5 فولت #2: VDDQ = 1.35 فولت و1.5 فولت #3: 800 ميجاهرتز fCK لـ 1600 ميجابايت/ثانية/دبوس #4: 8 بنك داخلي مستقل #5: زمن استجابة CAS قابل للبرمجة: 11، 10، 9، 8، 7، 6 #6: زمن الوصول الإضافي القابل للبرمجة: 0، CL - 2، أو CL - 1 ساعة #7: جلب مسبق 8 بت #8: طول الاندفاع: 8 (تداخل بدون أي حد، تسلسلي مع عنوان البداية "000" فقط)، 4 مع tCCD = 4 الذي لا يسمح بالقراءة أو الكتابة بسلاسة [سواء أثناء التنقل باستخدام A12 أو MRS] #9: البيانات التفاضلية ثنائية الاتجاه ستروب #10: المعايرة الداخلية (الذاتية): المعايرة الذاتية الداخلية من خلال دبوس ZQ (RZQ: 240 أوم + 1%) #11: عند إنهاء القالب باستخدام دبوس ODT رقم 12: متوسط فترة التحديث 7.8us عند أقل من TCASE 85C، 3.9us عند 85C < TCASE <95C #13: إعادة الضبط غير المتزامن #14: الارتفاع 1.180 بوصة (30 ملم) مع مبدد حراري تنزيل ورقة بيانات Kingston KF318LS11IBK2/16