كينغستون KF316C10BB/8 8 جيجابايت 1 جيجا × 64 بت DDR3-1600 CL10 240-Pin DIMM
رقم القطعة: KF316C10BB/8
سعر إرشادي — قابل للتغيير. اطلب عرض سعر للحصول على تسعير مؤكد.
المواصفات
- Manufacturer
- Kingston
- Model
- Kingston KF316C10BB/8
- Manufacturer Part No
- KF316C10BB/8
- Compatible Country
- Middle East, Africa, Iran, Dubai
- Country of Origin
- California
منتجات بديلة / مشابهة عبر العلامات التجارية
بدائل مطابقة بالذكاء الاصطناعي حسب المواصفات
وحدة ذاكرة سامسونج DDR3 SO-DIMM سعة 8 جيجابايت
ذاكرة الكمبيوتر المحمول Crucial CB8GS3200 260-Pin DDR4 سعة 8 جيجابايت، SO-DIMM، DDR4 3200، (PC4 25600)، 22-22-22 JEDEC، جهد 1.2، غير مخزن
ليكسر (LD4AU008G-R2666G) 8 جيجابايت DDR4 2666 UDIMM
ليكسر (LD4AS008G-R3200GSST) 8 جيجابايت DDR4 3200 SODIMM
ذاكرة لاب توب ميكرون 8 جيجا DDR5-4800 SODIMM - CT8G48C40S5
وحدة ذاكرة سينولوجي 8 جيجا D4ES02-8G DDR4 SO-DIMM ECC، سعة 8 جيجا (1 × 8 جيجا)
وحدة ذاكرة سينولوجي 8 جيجا D4ES03-8G DDR4 SO-DIMM ECC
ترقية ذاكرة Dell سعة 8 جيجابايت 1RX8 DDR4 UDIMM بسرعة 2400 ميجاهرتز ECC
وصف المنتج والنظرة التقنية
Kingston Kingston KF316C10BB/8 #1: مصدر طاقة JEDEC قياسي 1.5 فولت #2: VDDQ = 1.5 فولت #3: 800 ميجاهرتز fCK لـ 1600 ميجابايت/ثانية/دبوس #4: 8 بنوك داخلية مستقلة #5: زمن استجابة CAS قابل للبرمجة: 11، 10، 9، 8، 7، 6 #6: زمن الوصول الإضافي القابل للبرمجة: 0، CL - 2، أو CL - 1 ساعة #7: جلب مسبق 8 بت #8: طول الاندفاع: 8 (تداخل بدون أي حد، متسلسل مع عنوان البداية "000" فقط)، 4 مع tCCD = 4 الذي لا يسمح بالقراءة أو الكتابة بسلاسة [سواء أثناء التنقل باستخدام A12 أو MRS] #9: ستروب البيانات التفاضلية ثنائي الاتجاه رقم 10: المعايرة الداخلية (الذاتية): الداخلية الذاتية المعايرة من خلال طرف ZQ (RZQ: 240 أوم ± 1%) #11: عند إنهاء القالب باستخدام طرف ODT رقم 12: متوسط فترة التحديث 7.8us عند أقل من TCASE 85C، 3.9us عند 85C <TCASE <95C #13: إعادة الضبط غير المتزامن #14: الارتفاع 1.338 بوصة (34 مم) مع مبدد الحرارة تنزيل Kingston ورقة بيانات KF316C10BB/8